BEAK Hochleistungsverstärker mit MDmesh Power MOSFETs der II. Generation

Die MDmesh Technologie (Multiple Drain mesh) basiert auf einer neuartigen Struktur der vertikalen,
p-dotierten Streifen, die in mehrere Bereiche gegliedert sind. Die neue Drainstruktur wird mit dem
horizontalen Mesh-Overlay-Layout kombiniert, was eine exakte Kontrolle des internen Gate-Wider-
standes gestattet. Außerdem ist eine deutliche Verringerung der Gate Kapazität möglich. Einen ent-
scheidenden Vorteil gegenüber konventionellen Power-MOSFETs stellt der geringere Temperatur-
koeffizient des Durchlasswiderstandes dar. Abhängig von der Spannung, für die das Bauelement
ausgelegt ist, ist außerdem eine Verringerung des Durchlasswiderstandes um den Faktor 3 bis 4
möglich! Zusätzlich lässt sich die Durchbruchspannung durch die neue Struktur mehr als verdoppeln!

Unter dem Strich ergibt sich durch die geringe Verlustleistung ein höherer Systemwirkungsgrad,
während die geringere Gate-Ladung, die nur ein Drittel des Wertes konventioneller Bauelemente
mit vergleichbarem Durchlasswiderstand ausmacht, den Einsatz kleiner und wirtschaftlicher Gate-
Ansteuerungen zulässt, und ein optimales Schaltverhalten ermöglicht. Die Schaltverluste verringern
sich infolge der geringeren internen Kapazitäten und der deutlich kleineren Gate-Ladung. Auch die
statischen Verluste gehen wegen des niedrigeren Durchlasswiderstandes ebenfalls deutlich zurück.

Wie bereits auf dem 12. Kongress des Internationalen Symposiums der Leistungshalbleiter und IC’s
in Toulouse festgestellt wurde, bieten die Power-MOSFETs in MDmesh Technologie die beste Perfor-
mance der gegenwärtig verfügbaren Leistungshalbleiter im Power Management, sowohl in ihrem sta-
tischen als auch dynamischen Verhalten.*

*Quelle: 12. Internationaler Kongress der Leistungshalbleiter und IC’s (Toulouse, 22-25 May 2000,
ISPO, international symposium on power semiconductor & ICs N°12, France)